氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，属于第三代半导体。与前两半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用，它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱，这一发展历程融合了多种因素，是其一致发挥作用的结果。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消，最近，其凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和LDMOS的最具成本竞争优势的材料。

在GaN电力电子产线方面，截至2020年底，我国已有7条GaN-on-Si晶圆制造产线，另有约4条GaN电力电子产线正在建设。GaN射频产线方面，截至2020年底，我国有5条4英寸GaN-on-SiC生产线，约有5条GaN射频产线正在建设。

在财税政策方面，第三代半导体同属于集成电路产业，同样享受国家对集成电路企业所得税优惠政策，先后包括2019年5月财政部及税务总局印发的《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》，针对依法成立且符合条件的集成电路设计企业和软件企业，在2018年12月31日前自获利年度起计算优惠期，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止；并在2020年7月再次推出《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，对于国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。2021年3月，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》印发，在“集成电路”领域，特别提到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

和仕咨询发布的《2022-2026年中国氮化镓（GaN）产业深度调研及投资前景预测报告》共九章。首先介绍了氮化镓的概念、特性、制备方法等，接着分析了半导体材料和氮化镓产业的整体发展状况。然后报告从企业竞争、市场主要类型、应用领域、国内外企业等方面对氮化镓行业进行了系统解析，最后报告对氮化镓产业的投资潜力及发展前景进行了科学的预测。